سیمی کنڈکٹر پریشر سینسرز کو دو قسموں میں تقسیم کیا جا سکتا ہے، ایک اس اصول پر مبنی ہے کہ سیمی کنڈکٹر PN جنکشن (یا schottky junction) کی I-υ خصوصیات تناؤ میں تبدیل ہوتی ہیں۔ اس دباؤ کے حساس عنصر کی کارکردگی بہت غیر مستحکم ہے اور بہت زیادہ ترقی نہیں کی گئی ہے۔ دوسرا سیمی کنڈکٹر پیزورسسٹیو اثر پر مبنی سینسر ہے، جو سیمی کنڈکٹر پریشر سینسر کی اہم قسم ہے۔ ابتدائی دنوں میں، سیمی کنڈکٹر سٹرین گیجز زیادہ تر لچکدار عناصر سے منسلک ہوتے تھے تاکہ مختلف تناؤ اور تناؤ کی پیمائش کرنے والے آلات بن سکیں۔ 1960 کی دہائی میں، سیمی کنڈکٹر انٹیگریٹڈ سرکٹ ٹیکنالوجی کی ترقی کے ساتھ، ایک سیمی کنڈکٹر پریشر سینسر جس میں ڈفیوژن ریزسٹر کے ساتھ پائیزوریزسٹیو عنصر ظاہر ہوا۔ اس قسم کے پریشر سینسر میں سادہ اور قابل اعتماد ڈھانچہ ہوتا ہے، کوئی رشتہ دار حرکت پذیر پرزہ نہیں ہوتا، اور سینسر کا دباؤ حساس عنصر اور لچکدار عنصر مربوط ہوتا ہے، جو مکینیکل وقفے اور رینگنے سے بچتا ہے اور سینسر کی کارکردگی کو بہتر بناتا ہے۔

سیمی کنڈکٹر کا پیزوریزسٹیو اثر سیمی کنڈکٹر بیرونی قوت سے متعلق ایک خصوصیت رکھتا ہے، یعنی مزاحمتی صلاحیت (جس کی علامت ρ سے نمائندگی کی جاتی ہے) اس کے برداشت کرنے والے تناؤ کے ساتھ تبدیل ہوتی ہے، جسے پیزوریزسٹیو اثر کہا جاتا ہے۔ یونٹ تناؤ کے عمل کے تحت مزاحمت کی نسبتی تبدیلی کو پیزوریزسٹیو کوفیسینٹ کہا جاتا ہے، جس کا اظہار علامت π سے ہوتا ہے۔ ریاضیاتی طور پر ρ/ρ = π σ کے طور پر ظاہر کیا گیا ہے۔

جہاں σ تناؤ کی نمائندگی کرتا ہے۔ تناؤ کے تحت سیمی کنڈکٹر مزاحمت کی وجہ سے ہونے والی مزاحمتی قدر (R/R) کی تبدیلی بنیادی طور پر مزاحمت کی تبدیلی سے طے ہوتی ہے، لہذا پیزوریزسٹیو اثر کے اظہار کو R/R=πσ بھی لکھا جا سکتا ہے۔

بیرونی قوت کے عمل کے تحت، سیمی کنڈکٹر کرسٹل میں بعض تناؤ (σ) اور تناؤ (ε) پیدا ہوتے ہیں، اور ان کے درمیان تعلق کا تعین مواد کے ینگ کے ماڈیولس (Y) سے ہوتا ہے، یعنی Y=σ/ε۔

اگر سیمی کنڈکٹر پر تناؤ کے ذریعہ پیزورسسٹیو اثر کا اظہار کیا جاتا ہے، تو یہ R/R=Gε ہے۔

G کو پریشر سینسر کی حساسیت کا عنصر کہا جاتا ہے، جو یونٹ کے دباؤ کے تحت مزاحمتی قدر کی نسبتی تبدیلی کو ظاہر کرتا ہے۔

Piezoresistive coafficient یا حساسیت کا عنصر سیمی کنڈکٹر piezoresistive اثر کا بنیادی جسمانی پیرامیٹر ہے۔ ان کے درمیان تعلق، جس طرح تناؤ اور تناؤ کے درمیان تعلق ہے، مواد کے ینگ ماڈیولس، یعنی g = π y سے متعین ہوتا ہے۔

لچک میں سیمی کنڈکٹر کرسٹل کی انیسوٹروپی کی وجہ سے، کرسٹل واقفیت کے ساتھ ینگ کا ماڈیولس اور پیزوریزسٹیو گتانک تبدیل ہوتا ہے۔ سیمی کنڈکٹر پیزوریزسٹیو اثر کی شدت کا بھی سیمی کنڈکٹر کی مزاحمتی صلاحیت سے گہرا تعلق ہے۔ مزاحمت جتنی کم ہوگی، حساسیت کا عنصر اتنا ہی کم ہوگا۔ بازی مزاحمت کا پیزوریزسٹیو اثر کا تعین کرسٹل واقفیت اور پھیلاؤ مزاحمت کی ناپاکی کے ارتکاز سے ہوتا ہے۔ ناپاکی کا ارتکاز بنیادی طور پر پھیلاؤ پرت کی سطح کی ناپاکی کی حراستی سے مراد ہے۔