سیمیکمڈکٹر پریشر سینسر کو دو قسموں میں تقسیم کیا جاسکتا ہے ، ایک اس اصول پر مبنی ہے کہ سیمیکمڈکٹر پی این جنکشن (یا سکاٹکی جنکشن) کی خصوصیات میں تناؤ کے تحت تبدیل ہوتا ہے۔ اس پریشر حساس عنصر کی کارکردگی بہت غیر مستحکم ہے اور اسے بہت ترقی نہیں دی گئی ہے۔ دوسرا سیمیکمڈکٹر پیزورسیسٹیو اثر پر مبنی سینسر ہے ، جو سیمیکمڈکٹر پریشر سینسر کی بنیادی قسم ہے۔ ابتدائی دنوں میں ، سیمیکمڈکٹر اسٹرین گیجز زیادہ تر لچکدار عناصر سے منسلک تھے تاکہ مختلف تناؤ اور تناؤ کی پیمائش کرنے والے آلات کو بنایا جاسکے۔ 1960 کی دہائی میں ، سیمیکمڈکٹر انٹیگریٹڈ سرکٹ ٹکنالوجی کی ترقی کے ساتھ ، ایک سیمیکمڈکٹر پریشر سینسر جس میں بازی ریزسٹر کے ساتھ پیزورسٹیو عنصر نمودار ہوا۔ اس طرح کے پریشر سینسر میں سادہ اور قابل اعتماد ڈھانچہ ہے ، کوئی رشتہ دار حرکت پذیر حصے نہیں ہیں ، اور دباؤ حساس عنصر اور سینسر کا لچکدار عنصر مربوط ہے ، جو مکینیکل وقفے اور رینگنے سے بچتا ہے اور سینسر کی کارکردگی کو بہتر بناتا ہے۔

سیمیکمڈکٹر سیمیکمڈکٹر کے پیزورسیسٹیو اثر بیرونی قوت سے متعلق ایک خصوصیت رکھتا ہے ، یعنی ، مزاحمیت (علامت ρ کی نمائندگی) اس تناؤ کے ساتھ تبدیل ہوتا ہے ، جسے پیزوریسٹیو اثر کہا جاتا ہے۔ یونٹ کے تناؤ کی کارروائی کے تحت مزاحمیت کی نسبتا change تبدیلی کو پیزورسیسٹیو گتانک کہا جاتا ہے ، جس کا اظہار علامت کے ذریعہ کیا جاتا ہے۔ ریاضی کے طور پر ρ/ρ = π σ کے طور پر اظہار کیا۔

جہاں σ تناؤ کی نمائندگی کرتا ہے۔ تناؤ کے تحت سیمیکمڈکٹر مزاحمت کی وجہ سے مزاحمت کی قیمت (R/R) کی تبدیلی بنیادی طور پر مزاحمیت کی تبدیلی کے ذریعہ طے کی جاتی ہے ، لہذا پیزوریسٹیو اثر کا اظہار R/R = πσ کے طور پر بھی لکھا جاسکتا ہے۔

بیرونی قوت کی کارروائی کے تحت ، سیمیکمڈکٹر کرسٹل میں کچھ تناؤ (σ) اور تناؤ (ε) پیدا ہوتا ہے ، اور ان کے مابین تعلقات کا تعین اس مواد کے ینگ کے ماڈیولس (y) سے ہوتا ہے ، یعنی y = σ/ε۔

اگر سیمیکمڈکٹر پر تناؤ کے ذریعہ پیزورسیسٹیو اثر کا اظہار کیا جاتا ہے تو ، یہ r/r = gε ہے۔

جی کو پریشر سینسر کا حساسیت کا عنصر کہا جاتا ہے ، جو یونٹ تناؤ کے تحت مزاحمت کی قیمت میں نسبتا change تبدیلی کی نمائندگی کرتا ہے۔

پیزورسیسٹو گتانک یا حساسیت کا عنصر سیمیکمڈکٹر پیزورسٹیو اثر کا بنیادی جسمانی پیرامیٹر ہے۔ ان کے مابین تعلقات ، بالکل اسی طرح جیسے تناؤ اور تناؤ کے مابین تعلقات ، مادے کے نوجوان کے ماڈیولس سے طے ہوتا ہے ، یعنی ، g = π y۔

لچکدار میں سیمیکمڈکٹر کرسٹل کے انیسوٹروپی کی وجہ سے ، ینگ کے ماڈیولس اور کرسٹل واقفیت کے ساتھ پیزورسیسٹو گتانک تبدیلی۔ سیمیکمڈکٹر پیزورسٹیو اثر کی شدت سیمیکمڈکٹر کی مزاحمتی صلاحیت سے بھی قریب سے وابستہ ہے۔ مزاحمیت جتنی کم ، حساسیت کا عنصر چھوٹا ہے۔ بازی مزاحمت کا پیزورسیسٹیو اثر پھیلاؤ مزاحمت کے کرسٹل واقفیت اور نجاست کے حراستی کے ذریعہ طے کیا جاتا ہے۔ ناپاک حراستی بنیادی طور پر بازی پرت کی سطح کی نجاست کی حراستی سے مراد ہے۔